Анонсы ECWorld

Компания TEXAS INSTRUMENTS расширяет семейство GaN интеллектуальных силовых ключей LMGxxxx. Компания начала инвестировать в GaN технологии десять лет назад и сейчас в этом семействе 21 микросхема. Все они содержат GaN FET и, как правило, имеют встроенные драйвера и цепи защиты. Есть одиночные ключи и полумосты на напряжения 80...650В и токи 6...55А. Свежее добавление в семейство: LMG3622, LMG3624 и LMG3626 содержат GaN FET на 650В с сопротивлением канала 120...270 мОм и, кроме того, встроенный датчик тока, устраняющий необходимость во внешнем шунте. Микросхемы предназначены для использования в зарядных устройствах и позволяют получать КПД до 95% при мощности более 75Вт. И размеры ЗУ получаются на 50% меньше обычных. Интересно, что пресс-релизе говорится о намерении компании к 2030г. производить 90% продукции на собственных фабриках.

*По данным Инфо-портала «Новости мира электроники»: www.ecworld.ru